產(chǎn)品時(shí)間:2021-04-14
NJK5002C高電平霍爾傳感器,霍爾元件的結(jié)構(gòu)及工作原理 霍爾元件是根據(jù)霍爾效應(yīng)進(jìn)行磁電轉(zhuǎn)換的磁敏元件,其典型的工作原理圖如圖所示。霍爾元件是一個(gè)N型半導(dǎo)體薄片,若在其相對(duì)兩側(cè)通以控制電流I,而在薄片垂直方向加以磁場(chǎng)氏 則在半導(dǎo)體另外兩側(cè)便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大小與電流,和磁場(chǎng)B的乘積成工比的電壓。這個(gè)現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng),所產(chǎn)生的電壓叫霍爾電壓UR.
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霍爾元件的結(jié)構(gòu)及工作原理
霍爾元件是根據(jù)霍爾效應(yīng)進(jìn)行磁電轉(zhuǎn)換的磁敏元件,其典型的工作原理圖如圖所示。霍爾元件是一個(gè)N型半導(dǎo)體薄片,若在其相對(duì)兩側(cè)通以控制電流I,而在薄片垂直方向加以磁場(chǎng)氏 則在半導(dǎo)體另外兩側(cè)便會(huì)產(chǎn)生一個(gè)大小與電流,和磁場(chǎng)B的乘積成工比的電壓。這個(gè)現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng),所產(chǎn)生的電壓叫霍爾電壓UR.
式中:UH---霍爾電壓;
RH---霍爾系數(shù);
---霍爾元件的厚度;
I---通過(guò)霍爾元件的電流;
B---加在霍爾元件上的磁場(chǎng)磁力線(xiàn)密度;
---元件形狀函數(shù),其中L為元件的長(zhǎng)度,W為元件的寬度。
從上面的公式可以看出,霍爾電壓正比于電流強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度,且與霍爾元件的形狀有關(guān)。在電流強(qiáng)度恒定以及霍爾元件形狀確定的條件下,霍爾電壓正比于磁場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)所加磁場(chǎng)方向改變時(shí),霍爾電壓的符號(hào)也隨之改變因此,霍爾元件可以用來(lái)測(cè)量磁場(chǎng)的大小及方向。
圖:霍爾效應(yīng)原理圖
霍爾元件常采用鍺、硅、砷化鎵、砷化銦及銻化鋼等半導(dǎo)體制作。用銻化銦半導(dǎo)體制成的霍爾元件靈敏度,但受溫度的影響較大。用鍺半導(dǎo)體制成的霍爾元件,雖然靈敏度較,但它的溫度特性及線(xiàn)性度較好。目前使用銻化銦霍爾元件的場(chǎng)合較多。
類(lèi)型電容式接近開(kāi)關(guān)模擬式接近開(kāi)關(guān)霍爾開(kāi)關(guān)系列HC-M18H-M18HR-M12外觀(guān)外形尺寸M18*70M18*55M12*53約定距離Sn8mm8mm4mm體型號(hào)直流二線(xiàn)式HC-M18-N8TOH-M18-N8TOHR-M12-N4TOHC-M18-N8TCH-M18-N8TCHR-M12-N4TC直流三線(xiàn)式NPNHC-M18-N8NOH-M18-N8NOHR-M12-N4NOHC-M18-N8NCH-M18-N8NCHR-M12-N4NCPNPHC-M18-N8POH-M18-N8POHR-M12-N4POHC-M18-N8PCH-M18-N8PCHR-M12-N4PC交流二線(xiàn)式HC-M18-N8AO–HR-M12-N4AOHC-M18-N8AC–HR-M12-N4AC檢測(cè)距離0-8mm0-8mm視磁場(chǎng)強(qiáng)弱而定檢測(cè)體鐵、非鐵鐵18×18×1mm磁鐵zui響應(yīng)頻率(HZ)C:500 AC 2 20–2K回差Sn的10%以下–Sn的50%以下電源電壓C:10-30V AC:90-250V15-30V C:10-30V AC 2 90-250V負(fù)載能力≤150mA0-5V、0-10V、4-20mA≤150mA壓降C二線(xiàn):≤6V C三線(xiàn):≤1V AC二線(xiàn):≤10V漏電流C二線(xiàn):≤1mA C三線(xiàn):≤0.5mA AC二線(xiàn):≤1mA保護(hù)方式極性反接保護(hù)環(huán)境溫度-25℃ - +70℃ IP67外殼材料塑料、黃銅
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